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| 什么是化學氣相蒸鍍(CVD)? |
| 發布時間：2023-07-26 瀏覽： 次 |
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化(hua)學氣(qi)相蒸鍍是使(shi)用一種(zhong)或多(duo)種(zhong)氣(qi)體(ti)(ti)，在一加熱(re)的固(gu)體(ti)(ti)基材上發(fa)生化(hua)學反應，并鍍上一層固(gu)態薄膜。 化學氣相(xiang)蒸(zheng)鍍缺點: 1、熱力學(xue)及化學(xue)反應機制不易(yi)了(le)解或不甚(shen)了(le)解 2、需要在(zai)高溫下進(jin)行，有些(xie)基材不能承(cheng)受，甚至和鍍膜產生作(zuo)用 3、反應氣體可(ke)能具腐蝕性、毒性或爆炸(zha)性，處理時需(xu)小心 4、反(fan)應生成物(wu)可能殘余在鍍膜上，成為(wei)雜質 5、基材的遮蔽很難 化學(xue)氣相蒸鍍優點: 1、真空度要求不(bu)高，甚(shen)至可以(yi)不(bu)需要真空，例如(ru)熱噴覆 2、沉積速率快，大氣CVD可以達到1μm/min 3、與PVD比較的話。化學(xue)量(liang)論組成或合(he)金的鍍膜(mo)較容易達成 4、鍍膜(mo)的成份(fen)多(duo)樣(yang)化，如金(jin)屬、非金(jin)屬、半導體、光電材料、鉆石薄膜(mo) 5、可以在復雜形狀(zhuang)的(de)基材鍍膜(mo)，甚至滲(shen)入多孔的(de)陶瓷 6、厚度的均勻性良好，低壓CVD甚至可以(yi)同時(shi)鍍(du)數十芯片 |
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